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2018年7月24日 · 单层片式晶界层电容器（SLBC）具有尺寸微小、电容量大、应用温域宽（﹣55℃～125℃）、电容变化率小（≤±4.7%～≤±22％）、频率特性好等优点,是一类适用于微组装工艺和微波电路的新型电容器品种。 研发的单层片式晶界层电容器,采用SrTiO3系陶瓷材料,还原气氛烧结制造半导体瓷,经氧化热处理,溅射和电镀电极,光刻腐蚀,高精确度切割等先进的技术工
2021年11月22日 · 本发明属电容器制备技术领域,尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。 本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料,包括第一名半导体化SrTiO3单晶片,第二半导体化SrTiO3单晶片,设置于所述第一名半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层,所述第一名半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化
2017年9月15日 · 单层片式晶界层电容器（SLBC） 具有尺寸微小、 电容量大、 应用温域宽（ —55℃ ～125℃ ）、电容变化率小（≤ ±4.7%～≤ ±22％）、 频率特性好等优点, 是一类适用于微组装工艺和微波电路的新型电容器品种。
2020年11月10日 · 晶界层陶瓷材料由于采用srtio3基材料,同时采用ab位精确确化学掺杂替代的工艺,具有高介电常数、稳定的温度特性及卓越的微波特性等特点。其特征结构如图1所示,包括半导化晶粒、晶界扩散层和晶界绝缘层。
2024年2月21日 · 晶界层型半导体陶瓷电容器（GBBLC）则是：沿着半导体化的瓷体之晶粒边界处形成绝缘层,再在瓷片两面烧渗电极,因而形成多个串、并联的电容器网。
晶界层电容器是以晶界为介质,而以充分半导电化的晶粒为电极的陶瓷电容器。由于晶界很薄,因此具有很高的显介电常数。70年代末进入批量生产的SrTiO3晶界层电容器,在工业水平介电常数>60 000,把常规瓷介质的相对介电常数提高数倍至十倍以上。
晶界层电容器具有高耐压、低能耗、大容量等优点,能够提高电力传输的效率和稳 定性。 在高压直流输电系统中,晶界层电容器主要被用于改善系统的滤波性
fⅢ型陶瓷电容器又被称为半导体陶瓷电容器,它是一种利用特殊的显微结构（晶粒或瓷 体半导体,晶界或表面绝缘化）来获取巨大 的宏观效益的高性能陶瓷电容器,用于制作 这类电容器的主要材料有钛酸钡和钛酸锶。 这类电容器的结构类型主要有晶界层（BLC ）和表面阻挡层（SLC）两种。 晶界层陶瓷 电容器具有介电常数高（30000～50000）, 使用频率宽（0～ Hz）,温度变
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(±4.7%～122%),使用温域宽(-55～+125℃)的
晶界层陶瓷电容器是利用陶瓷的晶界效应来控制功能陶瓷结构和性能的陶瓷电容器。 是具有半导体性质的晶粒和高绝缘性晶界为显微结构特征的电容器陶瓷材料。