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2020年7月3日 · HIT（异质 结电池,Heterojunction with Intrinsic Thin layer）是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢 化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜的电池结构。 标准晶 体硅太阳能电池是一种同质结电池,即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结 电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。 日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申 请为
2021年8月7日 · 很明显,在异质结电池的成本构成中,N 型硅片 和 低温银浆占到了电池成本的绝大部分。解决了这两大主要部分,异质结电池高成本的问题就会迎刃而解。
2024年6月4日 · 站在光伏巨头角度,假设采用异质结技术,那2023年光伏白银消耗量将超过8000吨,假设到2027年全方位球光伏装机量翻倍至800GW,并维持稳定,且全方位部采用异质结路线,那光伏白银消耗量将超过2万吨。
2020年7月1日 · HIT (异质结电池,Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂 (本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。 标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。 日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商
2023年11月14日 · 摘要： 本发明公开了一种用于异质结电池的氧化锡靶材,氧化锡靶材包括氧化锡粉和氧化钽粉、氧化钼粉中的任一种或两种；所述氧化锡粉的质量分数为：94‑99.5%；所述氧化锡粉的粒度为：20‑80nm。
2024年10月29日 · 异质结电池是一种新型的光伏电池,其采用了不同半导体材料的异质结结构,通常是将高效的光吸收层与较低能带隙的材料结合。 此种结构能够有效提高光电转换效率,减少载流子复合,从而提升电池的整体性能。
2022年10月17日 · 本研究通过低温热处理银合金化的铜锌锡硫硒/硫化镉（ACZTSSe/CdS）异质结,显著提高了电池的开路电压、填充因子和光电转化效率,多种表征表明电池性能的提高主要来源于异质结界面缺陷浓度的降低。
2022年10月6日 · 辛颢团队前期的研究发现异质结热处理（JHT,200°C）可以显著降低以Sn 4+ 为前驱体化合物的DMSO溶液制备的CZTSSe电池的开路电压（Sci. China Mater. 2021, 64, 1304; EES, 2021, 14, 2369; AFM, 2021, 2101927）,并获得了开路电压损失最高小的铜锌锡硫电池器件。 本工作中他们发现在低温（110°C）条件下热处理银合金化的银铜锌锡硫硒ACZTSSe/CdS异质
2022年10月7日 · 该研究通过低温热处理银合金化的铜锌锡硫硒 / 硫化镉（ ACZTSSe/CdS ）异质结,显著提高了电池的开路电压、填充因子和光电转化效率,多种表征表明电池性能的提高主要来源于异质结界面缺陷浓度的降低。
2022年10月7日 · 辛颢教授团队通过低温热处理银合金化的铜锌锡硫硒/硫化镉（ACZTSSe/CdS）异质结,显著提高了电池的开路电压、填充因子和光电转化效率,多种表征表明电池性能的提高主要来源于异质结界面缺陷浓度的降低。