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2024年10月15日 · 硅电容器即使在超高频下插入损耗也非常低,尺寸也非常小,因此有助于削减超宽带光通信设备的功耗和安装面积。 射频功率放大器 可以解决伴随高速大容量通信带来的单频宽带化问题,即在功率放大器模块内消除互调失真,防止信号品质降低。
国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。 依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一名部分：名称,用字母表示,电容器用C。
2024年1月21日 · 高温硅电容器适用于广泛的恶劣环境应用,包括飞机发动机控制、航空电子系统、汽车系统、井下石油勘探系统、军事应用。 此外,硅电容器提供高度稳定的电容性能作为电压和温度的函数且不会发生电容老化。 此外,硅电容器的可信赖性和电容在直流偏置条件下不会降低。 随着移动基站继续增加以及数据中心流量需求不断增大,光通信市场也将会进一步扩大。 目
2端子电容器的外部电极与金属端子相连接。 金属端子的弹性作用可以缓和应力,吸收电容器的振动。 SMD多端子产品 有8端子和10端子的产品。从而实现了更低电感。 SMD LW逆转型
2024年9月2日 · 电容器外壳直径：Φ20-Φ136高度：<450毫米材料：AL1060类型：可定制带内芯、带螺杆、底部带孔、翻边等类型。 我们专注于铝冷挤压。 电容器外壳可根据客户要求设计。
2017年3月13日 · 电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变和真空电容器）： 第一名部分（主称）：用字母表示,电容器用C. 第二部分（材料）：用字母表示. 第三部分（特征）：一般用数字表示,个别用字母表示. 第四部分（序号）：用数字表示. 3.主要性能指标. （1）标称电容量. 电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。 电容的基本单位是法拉,简称法（F）。 但实际
相较于其他电容器技术,我们的硅电容器技术在可信赖性方面提高了10倍,这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。 此外,所有的电气测试都在生产步骤结束时完成,这就避免了早期故障。
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2 天之前 · 硅电容器与半导体MOS工艺源自相同的DNA,具有以经过验证的一致性数据建立的全方位模块默认模型,因此提供了可预测、极为可信赖的性能。相较于其他电容器技术,硅电容器技术在可信赖性方面提高了10倍,这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。
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