内/外贸生产厂家
多用于电子设备的积层陶瓷电容器根据电介质的种类大致分为低电容率类 (种类1)与高电容率类 (种类2),并根据温度特性进一步细分。 温度特性由JIS（日本工业标准）与EIA（美国电子工业协会）标准规定。 陶瓷电容器的静电容量还会因所施加的电压而发生变化,在直流电压下被称为直流偏压特性。 静电容量的变化在低电容率类 (种类1)中几乎看不到,但在高电容率类 (种类2)的B特
2012年10月15日 · 陶瓷电容器的温度特性是静电容量根据使用温度发生变化,该变化用温度系数和静电容量变化率表示。 陶瓷电容器有两大类,根据种类不同温度特性也不同。
陶瓷电容器中,尤其是高诱电率系列电容器(B/X5R、R/X7R特性),具有静电容量随时间延长而降低的特性。 当在时钟电路等中使用时,应充分考虑此特性,并在实际使用条件及实际使用设备上进行确认。
高介电常数的介电陶瓷,放置在常温下不加电压时,相对于对数时间,静电容量呈直线性下降趋势。 这种现象的发生是由于介电陶瓷会转变为静止能量状态,并且这种特性是无法消除的。
2018年3月24日 · Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramiccapacitor）,过去称高频陶瓷电容器（High-freqencyceramiccapacitor）,是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。
2024年10月11日 · 高介电常数类型的陶瓷电容,其容值随着施加的DC电压或AC电压值得改变而变化,下面两幅图是村田0.1uF,0201封装,MLCC的电容特性。 这种现象是使用了钛酸钡系铁电体的高介电常数（Class2）类片状多层陶瓷电容器特有的现象,导电性高分子的铝电解电容器 (高分子 AI)和导电性高分子钽电解电容器 (高分子 Ta)、薄膜电容器 (Film)、氧化钛和使用了锆酸钙
2020年8月19日 · 陶瓷电容器中,尤其是高诱电率系列电容器(B/X5R、R/X7R特性),具有静电容量随时间延长而降低的特性。 当在时钟电路等中使用时,应充分考虑此特性,并在实际使用条件及实际使用设备上进行确认。
2022年9月30日 · 摘要：本文主要介绍陶瓷电容 (MLCC)的结构、阻抗-频率特性、直流偏压特性、温度特性和关键参数。 多层片式陶瓷电容器 (Multi-layer Ceramic Capacitor,MLCC)是由极薄的陶瓷介质膜片和印刷在陶瓷片上面的电极材料 (多数为镍)以错位方式层叠而成。 电容容值计算公式如下： (1) C = ϵ S 4 π k d. ϵ 由陶瓷介质决定,常见的陶瓷介质成分有：锆酸锶SrZrO3、钛酸
2022年3月16日 · 提供了陶瓷电容器的定义、结构特点、发展历程以及市场应用的全方位面概览。适用于电子工程师、材料科学家及行业分析师,旨在了解陶瓷电容器的技术特性、市场分布及其在消费电子、通讯系统、汽车工业等领域的应用情况。
2014年9月23日 · 使用二氧化钛（TiO2）class1的多层陶瓷电容器在-55～+125℃的范围中,容量的温度系数超大变化仅有±60ppm/℃。 但是,为了使二氧化钛的相对介电常数较小我们不会将大容量品产品化。