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2013年3月13日 · 用哪些器件来产生720微法电容和6.2毫欧ESR呢？可用两个330微法30毫欧(ESR)聚合物钽电容器和6个10微法2毫欧(ESR)陶瓷电容器构成一个电容器阵列。 在电容器阵列中,应根据器件的谐振频率递减的次序来安排电容器与负载的相对位置。陶瓷电容谐振频率
2023年6月3日 · 在本实施例中,在由MOM电容器作为电容单元组成的阵列结构中删除第二层的电 极条,然后在将与被删除的电极条位置对应的第一名层和第三层的极板删除,直到符合电容 值要求和DRC检查。 该方法能够突破单一MOM电容器的结构限制,形成电容
2020年4月7日 · 本发明的目的在于提供一种电容器阵列及其形成方法、半导体器件,避免在沉积填充材料时电容阵列边界处形成裂缝而造成的短路问题,进而提高电容器的可信赖性。
2022年4月6日 · 24.根据本发明实施例的第一名方面,提供了一种电容器阵列结构,该电容器阵列结构包括： 25.基底；26.电容结构,设于所述基底上,包括下电极层,电容介质层和上电极层,所述电容介质层覆盖所述下电极层的表面,所述上电极层覆盖所述电容介质层的表面,且所
2017年7月10日 · 图1 超级电容器示意图 (a)平面微型超级电容器结构示意图：堆叠构型(左) 和平面交叉指构型(右)；(b)传统堆叠构型超级电容器离子传输示意图；(c)平面 交叉指构型超级电容器离子传输示意图 微型超级电容器进展： 自下而上法制备出高比容量硫掺杂石墨烯*
综上所述,本发明提供的电容器阵列及其形成方法中,通过在第一名牺牲层的位于器件区外围的区域中嵌入一保护层,从而可有效阻挡刻蚀剂在提前刻蚀第一名牺牲层中位于外围区的部分时进一步从外围区横向扩散至器件区中,即,在去除第一名支
2019年11月27日 · 本发明属于集成电路技术领域,特别是涉及一种柱状电容器阵列结构及制备方法。背景技术动态随机存储器(dynamicrandomaccessmemory,简称：dram)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。在20nm以下的dram制程中,dram大多采用堆栈式的电容构造,其电容器(capacitor)是垂直的高深宽比的
ccd图像传感器是按一定规律排列的mos（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列,在p型或n型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的 二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极）,形成规则的mos电容器阵列,再加上两端的输入及输出二极管就构成了ccd芯片。
提供 6.3 伏至 100 伏的额定电压。 KYOCERA AVX 现在还提供一系列符合 AEC-Q200 标准的汽车电容器阵列。电容器阵列的主要市场是移动电话和无绳电话、数字机顶盒、计算机主板和外围设备以及汽车应用、射频调制解调器、网络产品等。
2021年11月10日 · 关于研究 在这里,研究人员展示了利用电荷屏蔽原理的记忆电容设备,可以提供一种高能效的方法来实现并行乘法累加操作。他们制造了一个由 156 微型记忆电容器设备组成的交叉阵列,并用它来训练一个神经网络,可以区
2022年6月28日 · 文章浏览阅读396次。该文提出了一种基于模拟退火的算法,用于处理任意比率电容阵列的公共质心放置,同时考虑了失配和虚拟单元电容器的影响。目标是实现高分散度的布局以减小系统和随机失配。实验表明,提出的布局方法在减少氧化物梯度引起的失配和提高总体相关系数方面优于先前工作。
2013年3月13日 · 可用两个330微法30毫欧(ESR)聚合物钽电容器和6个10微法2毫欧(ESR)陶瓷电容器构成一个电容器阵列。 在电容器阵列中,应根据器件的谐振频率递减的次序来安排电容器与
2008年1月30日 · 可用两个330微法30毫欧(ESR)聚合物钽电容器和6个10微法2毫欧(ESR)陶瓷电容器构成一个电容器阵列。 在电容器阵列中,应根据器件的谐振频率递减的次序来安排电容器与负载的相对位置。
2020年4月7日 · 本发明的目的在于提供一种电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件,避免在沉积填充材料时电容阵列边界处形成裂缝而造成的短路问题,进而提高电容器的可信赖性。
2023年6月3日 · 传统的电容阵 列结构的构建方法是将采用加法逻辑,先做一个MOM电容器,再根据金属密度原则(metal density rule)将MOM电容器上下左右等距部署,最高后考虑连线,最高后构
本实用新型涉及MLCC电容器技术领域,尤其涉及一种低ESL表贴式电容器阵列。背景技术在搭载有大规模混合集成电路(LSI)的电源电路中,为降低电源线与接地之间的阻抗,减小因阻抗带来的电压波动,需在电源线与接地间并联去耦电容器。进而去除电源线中寄生的噪声,并能在电源电压变动时快速供电
2024年3月5日 · 滤波电容器在交 / 直流电转换中起到平滑整流信号中纹波的作用,对高档电力电子设备的稳定运行至关重要。 铝电解电容器（简称 AECs ）占据了这一领域的大部分市场,但其容量小、体积大,通常是电路中最高大的元件之
2020年4月8日 · 本发明专利技术提供一种电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件,通过在器件区上形成有一周边包裹式的主体支撑层,获得平整的电容阵列边界,避免后续沉积填充材料时
2020年4月7日 · 本发明涉及半导体器器件及制造领域,特别涉及一种电容器阵列结构及其形成方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高,例如,希望在有限的面积内所形成的电容器可以具备更大的电容。一种解决方案为,通过增加电容器中的下电极的高度,以
2024年5月25日 · 1 单调开关切换图1是N位单调差分CDAC的架构图,由两组CDAC阵列组成。每一组CDAC都由N-1个具有二进制比例关系的电容构成,每位电容值与低于该位权重所有电容之和相等,另外还有一个冗余单位电容来满足二
2020年4月7日 · 本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种电容器阵列及其形成方法,以及一种半导体器件。背景技术随着半导体技术的不断发展,对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高,例如,希望在有限的面积内所形成的电容器可以具备更大的电容。一种解决方案为,通过增加电容器中的下电极的
2018年9月15日 · 本发明属于半导体器件制造领域,特别是涉及一种电容器阵列制备方法。背景技术动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory,简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器
2018年12月11日 · 本发明的有益效果是,本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器,在于TSV阵列电容和、RDL顶面金属层和RDL金属层之间构成MIM电容,即得到三维集成电容器,TSV阵列电容和RDL MIM电容的结合,大幅提高了集成电容器的质量和电容密度,可广泛用于模拟集成电路
可调谐电容产品 Tunable Capacitor Product 通用天线调谐器WS1040是由四个可单独控制的RF MEMS电容组成,灵活的拓扑图设计可实现多个天线的调频,不同的电容组合可形成多种可调谐网络,电容并联设计可实现更大的电容值。所有WiSpry的调谐器均配置MIPI RFFE2.0接口,可选择的USID,具有高Q值、宽阻抗覆盖、低
2023年12月18日 · 发明内容本发明实施例提供了一种电容器的制作方法及电容器阵列结构、半导体存储器, 以解决电容器刻蚀过程中,晶圆边缘容易出现塌陷和剥落的问题。
利用阵列结构拆分大电容来实现对称性,阵列结构应该共 质心,并在阵列电容的周围设置虚拟电容（Dummy ... 2 多晶硅和扩散区（注入区或N阱）组成电容器 单层多晶工艺使用的方法。淀积多晶硅前先掺杂下电极板 区域,再生长栅氧化层和淀积作上电极的