内/外贸生产厂家
摘要：重点分析研究晶硅太阳能单晶太阳电池 EL 常见缺陷原因,电池片 EL 常见 缺陷主要分为原材料类导致的缺陷及过程引入缺陷类。 通过对常见的 EL 缺陷分析 研究及有利于改善电池片的产品质量,提升电池片成品的良率,还可进一步降低 生产成本。
2016年4月26日 · 由于缺陷影响硅单晶材料的质量,对器件及太阳能电池片有不良的影响,所 以我们需要研究其性质和行为。 在研究过程中也出现了越来越多的问题,但现在
2019年7月6日 · 硅单晶材料缺陷的研究方法有许多种,如 X 光貌相技术、红外显微镜、投 射电子显微镜及金相腐蚀显示等方法。 金相腐蚀显示技术设备简单,比较操作易 掌握,并且又较直观,是观察研究晶体材料缺陷的最高常用的方法之一。 本次的研 究主要采用偏关金相显微镜,通过对单晶硅片的化学腐蚀后,用偏光金相显微镜 来观察和研究各种腐蚀坑的形态,定量计数比较缺
2022年7月5日 · 导致石墨舟卡点处硅片和太阳电池品质异常的原因主要有2个：1)经过卡点位置的电流过大,导致接触位置的温度过高；2)因为硅片与石墨舟之间存在接触不良的情况,导致卡点位置局部高温。
2019年7月30日 · 摘要:针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备（EL、PL、Corescan等）,在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时
2020年3月19日 · 摘要:针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备（EL、PL、Corescan等）,在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时有效地反馈生产过程中产生的缺陷类型,有利于生产工艺的改进和质量的控制。 （来源：微信公众号"摩
2019年2月23日 · 由于缺陷影响硅单晶材料的质量,对器件及太阳能电池片有不良的影响,所以我们需要研究其性质和行为。 在研究过程中也出现了越来越多的问题,但现在主要的问题是对已经发现的主要缺陷,其形成机制的研究一直没有太大的突破,并且对于缺陷的消除和控制方法的研究也还处于探索中,其检测方法和检测手段也需要进一步的提高。 硅单晶材料缺陷的研究方法有许
2019年7月4日 · 在做单晶硅电池时, 首先要腐蚀去除原始硅片损伤层同时制作电池表面的陷光结构, 此工艺过程要腐蚀掉0.55～0.65 g/片硅料。目前, 行业内使用金刚线切单晶硅片的表面粗糙度 (线痕) ≤15μm。
2021年9月3日 · 从单晶硅片的绒面数据来看,几类异常硅片未形成"金字塔"状绒面,异常区域未发生腐蚀,或单晶各项异性腐蚀效果未体现。 如果是未发生腐蚀,推测其表面存在不易被酸碱清洗腐蚀的物质；如果是发生了腐蚀但未形成"金字塔"状绒面,则推测是硅片晶向
硅片缺陷的存在会极大地降低电池片的发电效率,减少电池组件的使用寿命,甚至影响光伏发电系统的稳定性。 通过对单晶硅片质量进行检测,分析少子寿命、早期...