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2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
2022年5月20日 · 硅光电池负载上 的电压降 U 和通过 的电流之积称为硅光电池的输出功率 P。 输出功率达到最高大值 时的负载电阻 称为最高佳负载电阻,此时能量转换效率最高高,且 随光强而变化。
2005年7月23日 · 当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流IPh,同时由于PN结二极管 的特性,存在正向二极管管电流 I D,此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
2014年4月22日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
2022年6月5日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工 作状态,光电流随负载变化很大；反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关(很大动 态范围内)。
2018年6月3日 · 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。 它的伏安特性见图 2。 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1.
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能
2013年6月30日 · FF 是表征硅光电池性能优劣的指标,称为填充因子 。 硅光电池的等效电路(如图4),在一定负载电阻 R L 范围内可以近似地视为一个电流源 I PS 与内阻 R i 并联,和一个很小的电极电阻 R S 串联的组合。